%34تخفیف
طراحی و شبیه سازی ترانزیستور MESFET قدرت با توان بالاتر از 5 وات و محدوده فرکانسی 1 تا 2 گیگاهرتز
تعداد 106 صفحه درword
كارشناسي ارشد
رشته فيزيك حالت جامد
طراحی و شبیه سازی ترانزیستور MESFET قدرت با توان بالاتر از 5 وات و محدوده فرکانسی 1 تا 2 گیگاهرتز
در فصل اول این تحقیق برخی از ویژگی های کلی نیمه هادی ها و برخی کمیت های مهم در فیزیک نیمه هادی ها به اجمال بیان گردیده است. همچنین معادلات اساسی حاکم بر رفتار استاتیکی و دینامیکی نیمه هادی ها ذکر شده است.
در فصل دوم پیوند های فلز – نیمه هادی مورد بررسی قرار گرفته است زیرا که نقش اساسی در درک نحوه عملکرد ترانزیستورهای اثر میدان (FET) دارند.
فصل سوم با معرفی ترانزیستور های اثر میدان آغاز می گردد و در ادامه در مورد ترانزیستورهای اثر میدان با پیوند فلز –نیمههادی (MESFET) که مد نظر این تحقیق است توضیحاتی داده شده و بعضی معادلات کلی برای آشنایی با این قطعه ارائه می شود.
در ترانزیستور اثر میدان فلز –نیمههادیاثرات پارامترهای مختلف نظیر طول کانال ، عمق کانال ، طول گیت ، تابع کار فلز پایانه گیت ، میزان آلایش کانال ، فرورفتگی پایانه گیت و فاصله بین پایانه گیت و درین بر روی خروجی های AC و DC ( نمودار مشخصه ی I-V و عملکرد فرکانسی) این ترانزیستور شبیه سازی و بررسی شده است.
با توجه به اینکه به طور معمول با افزایش توان خروجی فرکانس قطع کاهش می یابد و بالعکس؛ به دنبال یافتن نقاط بهینه برای عملکرد توان و فرکانس بوده ایم. در این راستا از یکی از نرم افزارهای شبیه سازی قطعات نیمه هادی به نام SILVACO بهره جسته ایم و با استفاده از نرم افزار Athenaنمونه ساده ای از MESFET طراحی شده و با نرم افزار Atlas بررسی های AC و DC را انجام داده ایم.
کلید واژه ها:
مسفت ، سیلواکو ، گالیم آرسناید ، شبیه سازی ، ترانزیستور ، نیمه هادی.
دسته: ریاضی فیزیک, فیزیک
برچسب: ترانزیستور, سیلواکو, شبیه سازی., گالیم آرسناید, مسفت, نیمه هادی.
اولین نفری باشید که دیدگاهی را ارسال می کنید برای “طراحی و شبیه سازی ترانزیستور MESFET قدرت با توان بالاتر از 5 وات و محدوده فرکانسی 1 تا 2 گیگاهرتز” لغو پاسخ
دیدگاهها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.