%34تخفیف

طراحی و شبیه سازی ترانزیستور MESFET قدرت با توان بالاتر از 5 وات و محدوده فرکانسی 1 تا 2 گیگاهرتز

تعداد 106 صفحه  درword

كارشناسي ارشد

رشته فيزيك حالت جامد

طراحی و شبیه سازی ترانزیستور MESFET قدرت با توان بالاتر از 5 وات و محدوده فرکانسی 1 تا 2 گیگاهرتز

در فصل اول این تحقیق برخی از ویژگی های کلی نیمه هادی ها و برخی کمیت های مهم در فیزیک نیمه هادی ها به اجمال بیان گردیده است. همچنین معادلات اساسی حاکم بر رفتار استاتیکی و دینامیکی نیمه هادی ها ذکر شده است.

در فصل دوم پیوند های فلز – نیمه هادی مورد بررسی قرار گرفته است زیرا که نقش اساسی در درک نحوه عملکرد ترانزیستورهای اثر میدان (FET) دارند.

فصل سوم با معرفی ترانزیستور های اثر میدان آغاز می گردد و در ادامه در مورد ترانزیستورهای اثر میدان با پیوند فلز –نیمههادی (MESFET) که مد نظر این تحقیق است توضیحاتی داده شده و بعضی معادلات کلی برای آشنایی با این قطعه ارائه می شود.

در ترانزیستور اثر میدان فلز –نیمههادیاثرات پارامترهای مختلف نظیر طول کانال ، عمق کانال ، طول گیت ، تابع کار فلز پایانه گیت ، میزان آلایش کانال ، فرورفتگی پایانه گیت و فاصله بین پایانه گیت و درین بر روی خروجی های AC و DC ( نمودار مشخصه ی I-V و عملکرد فرکانسی) این ترانزیستور شبیه سازی و بررسی شده است.

با توجه به اینکه به طور معمول با افزایش توان خروجی فرکانس قطع کاهش می یابد و بالعکس؛ به دنبال یافتن نقاط بهینه برای عملکرد توان و فرکانس بوده ایم. در این راستا از یکی از نرم افزارهای شبیه سازی قطعات نیمه هادی به نام SILVACO بهره جسته ایم و با استفاده از نرم افزار Athenaنمونه ساده ای از MESFET طراحی شده و با نرم افزار Atlas بررسی های AC و DC را انجام داده ایم.

کلید واژه ها:

مسفت ، سیلواکو ، گالیم آرسناید ، شبیه سازی ، ترانزیستور ، نیمه هادی.

فهرست مطالب

عنوان                                          صفحه

چکیده8

مقدمه9

فصل اول…………………………………………………………12

1-1 مواد نیمه هادی12

1-1-1 عناصر نیمه هادی13

2-1-1 نیمه هادی های مرکب                                                                                14

2-1 سطوح انرژی16

3-1 نمودار انرژی تکانه                                                                                    20

4-1 رسانایی در فلزات ، نیمه هادی ها و عایق ها                                                        23

1-4-1 فلزات                                                                                                  23

2-4-1 عایق ها                                                                                                24

3-4-1 نیمه هادی ها                                                                                         24

5-1 غلظت حامل های ذاتی                                                                                 25

6-1 دهنده ها و پذیرنده ها                                                                                  29

7-1 پدیده انتقال حامل ها                                                                                   33

1-7-1 تحرکحاملها                                                                                        33

2-7-1مقاومتورسانایی                                                                                   34

3-7-1 نفوذ                                                                                                   35

4-7-1 روابط چگالی جریان                                                                                37

8-1 باز ترکیب و تولید                                                                                      37

9-1 معادلات اساسی                                                                                         38

1-9-1 معادلات الکترواستاتیکی                                                                           39

2-9-1 معادلات چگالی جریان                                                                         40

3-9-1 معادلات پیوستگی                                                                                  40

 

فصل دوم   …………………………………………………………41

1-2 اتصالات فلز- نیمه هادی                                                                              41

1-1-2 سد شاتکی                                                                                           48

2-1-2 اتصال اهمی                                                                                         53

 

فصل سوم   ………………………………………………………..54

1-3 ترانزیستور اثر میدان فلز نیمههادی (MESFET)                                           54

1-1-3 ترانزیستور پیوندی دو قطبی                                                                      54

2-1-3 ترانزیستور اثر میدان (FET)                                                                     55

2-3 ساختار MESFET             57

3-3 اصول عملکرد  MESFET          58

1-3-3 مشخصه ولتاژ جریان             61

2-3-3 عملکرد فرکانس بالا           65

3-3-3 محدودیت توان-فرکانس          67

فصل چهارم ……………………………………………………….. 69

1-4 معرفی نرم افزار شبیه سازی                                                                            69

1-1-4 فرآیند شبیه سازی مراحل ساخت با استفاده از نرم افزار Athena                         72

2-1-4 شبیه سازی با نرم افزار Atlas                                                                   74

2-4 شبیه سازی و بحث                                                                                     75

1-2-4 تغییرات تابع کار فلز پایانه ی گیت:                                                              75

2-2-4 بررسی تغییرات طول گیت                                                                         80

3-2-4 بررسی تغییرات فاصله درین و گیت                                                              83

4-2-4 بررسی تغییرات میزان فرورفتگی گیت                                                            86

5-2-4 بررسی تغییرات میزان آلایش کانال                                                               89

6-2-4 بررسی تغییرات طول کانال                                                                         93

7-2-4 بررسی تغییرات ضخامت کانال                                                                    97

3-4 نتیجه گیری و پیشنهادات                                                                              101

منابع ………………………………………………………………… 103

 

***یک نمونه کد نویسی:

ایجاد ساختار اولیه و بررسی تغییرات تابع کار الکترود گیت با فلزات مختلف و به دست آوردن نمودار ولتاژ-جریان برای الکترود درین                                                                       

 

 

نقد و بررسی‌ها

هنوز بررسی‌ای ثبت نشده است.

اولین کسی باشید که دیدگاهی می نویسد “طراحی و شبیه سازی ترانزیستور MESFET قدرت با توان بالاتر از 5 وات و محدوده فرکانسی 1 تا 2 گیگاهرتز”

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *

قبلا حساب کاربری ایجاد کرده اید؟
گذرواژه خود را فراموش کرده اید؟
Loading...
enemad-logo