%31تخفیف
امکان سنجی تولید جمعیت وارون در گرافن
تعداد 95 صفحه در فایلword
فیزیک (اپتیک و لیزر)
امکان سنجی تولید جمعیت وارون در گرافن
چکیده
امکان سنجی تولید جمعیت وارون در گرافن
واژگان کلیدی: گرافن، الکترون، حفره، شبه سطح فرمی، رسانندگی
در این پایان نامه موضوع استفاده از گرافن تک لایه به عنوان ماده فعال لیزر مورد بررسی قرار گرفته است. رسانندگی الکتریکی معیاری است که رسیدن یا عدم رسیدن به تقویت نوری را بیان میکند. اگر رسانندگی الکتریکی منفی باشد، نشان از تقویت نوری و رسیدن به شرایط جمعیت معکوس است. در راستای محاسبه رسانندگی و برای محاسبه پارامتر سطح فرمی، با استفاده از نتایج طیف نگاری ملاحظه میشود که در گرافن شبه سطح فرمی بعد از دمش بوجود میآید. نتایج بدست آمده در این پایاننامه نشان میدهد که سامانهای که در حالت تعادل دارای سطح فرمی 0.4 ev بوده است، بعد از برانگیختگی با انرژی دمش 1.55 ev، دارای دو شبه سطح فرمی حداکثر 1 ev برای الکترونها و بیش از -0.9 ev برای حفرهها میشود. دیگر پارامتری که در رسانندگی وجود دارد دمای حاملها در هنگام برانگیختگی است. نتایج نشان میدهد که این دما برای گرافن حدود 2000 K است که بمراتب از حالت تعادل غیر برانگیخته به میزان 300 K بیشتر است. با بررسی خصوصیات شبه سطح فرمی و دمای حاملها در حالت برانگیخته و استفاده از آنها، رسانندگی گرافن حساب شده و شرایط تقویت نوری آن بررسی گردیده است. نتایج نشان میدهد که بروز تقویت نوری در گرافن فقط با دمش پر شدت امکانپذیر است.
دسته: ریاضی فیزیک, فیزیک
برچسب: الکترون, حفره, رسانندگی, شبه سطح فرمی, واژگان کلیدی: گرافن
1-6-بررسی جرم الکترونها در گرافن و کاربرد گرافن در پیلهای سوختی به عنوان دو
شکل 1‑3 ذرهای که از محیط 1 میآید اگر نسبیتی باشد طبق پارادوکس کلین از سد عبور
شکل 1‑4 نسبت جرم جمعی الکترونها mc در گرافن به جرم الکترون me در گرافن تحت
شکل 2‑1 نیمه هادی ها با انواع آلاییدگی و انرژی فرمی) (µf مختلف الف-نیمه هادی نوع
شکل 2‑2 شبه سطح فرمی. در این حالت دو پتانسیل شیمیایی µc برای نوار رسانش و µv
شکل 3‑5 تغییرات عبور که با نشان داده شده بر حسب زمان سپری شده از برخورد
شکل 4‑4 مقایسه تابع اصلی خط و تابع بسط داده شده
شکل 4‑5 مقایسه تابع اصلی خط و تابع بسط داده شده
شکل 4‑6 مقایسه تابع اصلی خط و تابع بسط داده شده
شکل 4‑7 مقایسه تابع اصلی خط و تابع بسط داده شده
شکل 4‑8 مقایسه تابع اصلی خط و تابع بسط داده شده
شکل 4‑9 تغییرات چگالی حاملها بر واحد سطح بر حسب رسانندگی نرمال شده به
شکل 4‑10 تغییرات چگالی حاملها بر واحد سطح بر حسب رسانندگی نرمال شده بر
شکل 4‑11 تغییرات چگالی حاملها بر واحد سطح بر حسب دما. قسمت مشخص شده در
شکل 4‑12 تغییرات چگالی حامل بر واحد سطح برانگیخته شده بر حسب پتانسیل
شکل 4‑13 رسانندگی بهنجار شده به رسانندگی حالت بدون میدان گرافن برای سه انرژی
شکل 4‑14 ساختار نواری گرافن رسم شده و تنها از ناحیه خاکستری فونون های اپتیکی
شکل 4‑15 تغییرات رسانندگی نرمال شده به به ازای تغییرات شدت برای سه دمای
شکل 4‑16 نمودار تغییرات رسانندگی بر حسب تغییر شدت میدان برای انرژی 1.65 ev که
شکل 4‑17 تغییرات رسانندگی نرمال شده به به ازای شدتهای مختلف برای سه دمای
اولین کسی باشید که دیدگاهی می نویسد “امکان سنجی تولید جمعیت وارون در گرافن” لغو پاسخ
نقد و بررسیها
هنوز بررسیای ثبت نشده است.