%38تخفیف

دانلود پروژه:طراحی مدار تمام جمع کننده با استفاده ازترانزیستورهای کربن نانو لوله CNT

تعداد 74 صفحه فایل word

چکیده:

 

جمع کننده­ها یکی از مهمترین اجزای پردازشی در سیستمهای کامپیوتری هستند. علاوه بر استفاده­ی جمع کننده در واحد پردازش منطقی، از جمع کننده در تغییر مقدار شمارنده­های برنامه و محاسبه­ی آدرس­های درست حافظه استفاده می­شود. در واقع کارایی پردازنده­ها بطور گسترده­ای به سرعت و سطح مورد استفاده­ی جمع کننده­ها بستگی دارد. تمامی جمع کننده­ها مبتنی بر یک واحد کلی تمام جمع کننده طراحی شده­اند که سرعت و سطح مورد استفاده آنها با ساختار منطقی­شان تغییر کرده است. در حالت کلی یک جمع کننده ممکن است دارای سطح کم باشد ولی سرعت مناسبی نداشته باشد و در واقع می­بایست میان سرعت و سطح یک مصالحه­ای صورت پذیرد. تئوری جمع معمولی و ­شناخته شده مبتنی بر­تمام جمع کننده می­باشد[1-6].

در جمع کننده­هایی که در سال های اخیر طراحی شده­اند عنصر اساسی یک تمام جمع کننده است که از دو نیم جمع کننده و یک گیت OR تشکیل شده است. موضوعی که در حال حاضر به دنبال آن هستیم کوچک شدن اندازه و کاهش مصرف توان افزاره می­باشد. لذا به مواد و ادوات جدید نیاز داریم تا جایگزین سیلیکن در ترانزیستورهای مقیاس نانو شود. یکی از این ادوات نو ترانزیستورهای اثرمیدانی کربن نانولوله می­باشند که بسیاری از محدودیتهای ادوات سیلیکنی را ندارند که این براساس ساختار باند تک بعدی آنها است، که توزیع معکوس امواج رادیویی را خنثی کرده و امکان عملکرد نزدیک به کانال بالستیک را فراهم می کنند[1,3,4].

CNTFETها به ادوات سیلیکنی شبیه هستند، این افزاره 3 یا 4 پایه­ای از یک نانولوله نیمه هادی، که بعنوان کانال هدایت عمل می­کند، (بعنوان پلی از درین به سورس عمل می­کند). افزاره توسط گیت بصورت الکترواستاتیکی روشن و یاخاموش می­شود. باوجود سدهای تکنولوژیها جدید متنوع، CNTFETها با اندازه­های خیلی کوچک و توانایی جریان دهی بالا پتانسیل بالایی برای بهبود کارایی در مقایسه با ترانزیستورهای CMOS ارائه می­دهند[5].

ارائه یک سلول تمام جمع کننده­ی جدید می تواند عملکرد واحد محاسبات منطقی را افزایش دهد. در این تحقیق، ما به تشریح  طراحی یک سلول تمام جمع کننده با استفاده از ترانزیستورهای نانوتیوب کربنی اثر میدانی پرداخته ایم. در این طراحی ما 10 ترانزیستور داریم و از این رو ما به یک بهبود در پارامترهای خروجی دست یافته­ایم. شبیه سازی با استفاده از نرم افزار HSPICE مبتنی بر مدل CNTFET با ولتاژ 1.8V VDD اجرا گردید. نتایج به دست آمده از شبیه سازی، بیانگر بهبود قابل توجهی در زمینه هایی همچون توان، تاخیر و حاصلضرب توان در تاخیر نسبت به تمام جمع کننده CMOS می باشند.

کلید واژه: تمام جمع کننده، نانوتیوب کربن،  ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی، توان مصرفی، CNTFET.

 

فهرست مطالب

چکیده: 1

فصل اول. 2

کلیات تحقیق. 2

1-1 مقدمه:…………… 3

1-2بيان مسأله……………    4

1-3اهمیت و ضرورت انجام تحقيق:……………. 6

1-4مرور ادبیات و سوابق مربوطه:…………… 6

1-5جنبه جديد بودن و نوآوري در تحقيق:…………. 7

1-6اهداف مشخص تحقيق:……….. 7

1-7سؤالات تحقیق:……………. 8

1-8فرضيه‏هاي تحقیق:……….. 8

1-9تعريف واژه‏ها:…………. 8

1-10متغيرهاي مورد بررسي:…………. 8

فصل دوم 10

ترانزیستورهای کربن نانولوله. 10

2-1 معرفي نانولولههاي كربني. 11

2-2 ویژگیهای نانولولههای کربنی. 14

2-3 تولید نانولولههای کربنی. 17

2-3-1 روش تخلیه قوس الکتریکی. 17

2-3-2 روش تبخیر لیزری.. 19

2-3-3 رسوب بخار شیمیایی. 20

2-4 کاربرد نانولولههای کربنی. 20

2-4-1 ترانزیستورها 21

2-4-2 حسگرها 22

2-4-3 نمايشگرهاي گسيل ميداني. 23

2-5-1 روال ساخت ترانزیستورهای مبتنی بر نانولولههای کربنی. 26

2-5-2 مزایای استفاده از ترانزیستورهای مبتنی بر نانو لولههای کربنی. 29

2-5-3  چالش های ترانزیستورهای مبتنی بر نانو لولههای کربنی. 29

فصل سوم 30

مدارهای جمع کننده 30

3-1 مقدمه: 31

3-2 نیم جمعکننده 32

3-3 جمع کننده کامل: 33

3-4 جمع كننده دودويي. 36

3-5 ساختار داخلی جمع کنندهها: 37

فصل چهارم 43

شبیه سازی مدار طراحی شده 43

4-2 شبیهسازی.. 45

4-3 نتایج. 45

4-3-1 نتایج برای منطق CMOS. 45

4-3-2 نتایج برای ترانزیستورهای CNT. 49

فصل پنجم. 55

نتیجه گیری و پیشنهادها 55

5-1 نتیجهگیری.. 55

5-2 پیشنهادها 56

مراجع. 58

 

نقد و بررسی‌ها

هنوز بررسی‌ای ثبت نشده است.

اولین کسی باشید که دیدگاهی می نویسد “دانلود پروژه:طراحی مدار تمام جمع کننده با استفاده ازترانزیستورهای کربن نانو لوله CNT”

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *

قبلا حساب کاربری ایجاد کرده اید؟
گذرواژه خود را فراموش کرده اید؟
Loading...
enemad-logo