%34تخفیف

دانلود پروژه: ساخت و بررسی خواص الکتریکی پوشش گرافن سه بعدی-TiN جهت استفاده در سلول خورشیدی نانوساختار DSSC

تعداد 149صفحه در فایل word

ساخت و بررسی خواص الکتریکی پوشش گرافن سه بعدی-TiN جهت استفاده در سلول خورشیدی نانوساختار DSSC

چکیده

در این پروژه، در ابتدا، فوم گرافن سه بعدی (3DG)، از طریق روش رسوب بخار شیمیایی ((CVD با استفاده از اتانول به عنوان پیش ماده کربنی و الگوی نیکل در دمای ^oC 1000 سنتز شد. سپس پوشش TiN با روش شیمیایی و غوطهورکردن 3DG داخل محلول اتانولی تیتانیم ایزوپروپوکساید (TTIP) و عملیات حرارتی آن در اتمسفر آمونیا در دمای 750 تا ^oC 900 اعمال شد. در مرحله بعد، اثر پارامترهای دمای عملیات حرارتی، میزان جریان گاز آمونیا، غلظت محلول تیتانیمی و زمان نگهداری در محلول بررسی شدند. در نهایت، فوم 3DG قبل و بعد از اعمال پوشش TiN به منظور کاربرد در سلول خورشیدی نانوساختار حساس شده با رنگ (DSSC) مورد ارزیابی قرار گرفت. به منظور مشخصهیابی و بررسی ویژگیهای نمونههای 3DG و TiN/3DG، آنالیزهای مختلفی مثل XRD، SEM، TEM، FTIR، Raman، XPS، UPS، ردیاب چهار نقطهای و اندازهگیری زاویه تماس مورد استفاده قرار گرفت. همچنین، به منظور ارزیابی استفاده از نمونههای 3DG و TiN/3DG در DSSC، از آنالیزهای طیفسنجی UV-Vis، Raman و فتولومینسانس بهره گرفته شد.

نتایج نشان دادند که فاز بلورین TiN روی سطح و داخل تخلخلهای فوم 3DG رسوب کرده است. در ضمن، در طول عملیات حرارتی در اتمسفر آمونیا، فوم 3DG با اتمهای نیتروژن آلاییده شده است. این آلاییدگی با ظهور پیکهای مربوط به پیوند کربن-نیتروژن در پیکهای C1s و N1s طیفهای XPS و نیز ظهور پیک D در طیف Raman نمونه 3DG بعد از اعمال پوشش TiN تایید شد. بعد از اعمال پوشش TiN بهینه، تعداد متوسط لایههای گرافن از 37 لایه به 41 لایه افزایش یافت. میزان کرنش اعمال شده از طرف TiN بر شبکه 3DG در جهت c برابر با %04/1- محاسبه شد. در ضمن، اعمال پوشش TiN، منجر به کاهش تابع کار فوم 3DG از eV 5 به eV 68/4، افزایش مقاومت الکتریکی ویژه از Ω.cm 25/0 به Ω.cm 41/0 و کاهش زاویه ترشوندگی آب از °127 به °83 شد. با اعمال TiN، مقدار مولکولهای رنگ جذب شده توسط فوم 3DG، از mole.cm^-3 ^6-10×06/4 به mole.cm^-3 ^5-10×18/1 افزایش نشان داد و فرآیند تزریق الکترونی از مولکولهای رنگ تهییج شده نیز سهولت یافت. بنابراین، با توجه به نتایج به دست آمده، میتوان TiN/3DG را به عنوان یک ماده خوشآتیه و نوین برای کاربرد در قسمت آند سلول DSSC معرفی کرد.

کلمات کلیدی: فوم گرافن سه بعدی، نیترید تیتانیم، رسوب بخار شیمیایی، آمونیا، سلول خورشیدی حساس شده با رنگ، تابع کار، ترشوندگی، مقاومت الکتریکی، جذب رنگ، تزریق بار

دسته: فنی و مهندسی, مهندسی مواد برچسب: آمونیا, تابع کار, ترشوندگی, تزریق بار, جذب رنگ, رسوب بخار شیمیایی, سلول خورشیدی حساس شده با رنگ, کلمات کلیدی: فوم گرافن سه بعدی, مقاومت الکتریکی, نیترید تیتانیمدانلود-پروژه-پایان نامه-کارشناسی-ارشد-فایل ناب

توضیحات
نظرات (0)

فهرست مطالب

عنوان شماره صفحه

فصل اول مقدمه. 1

فصل دوم مروری بر منابع مطالعاتی.. 6

2-1- معرفی سلول خورشیدی نوع DSSC.. 7

2-2- اجزای سلول خورشیدی نوع DSSC.. 8

2-3- معرفی DSSC بدون لایه TCO.. 9

2-4- استفاده از TiN در DSSC بدون TCO.. 10

2-5- معرفی گرافن.. 11

2-6- گرافن سه بعدی.. 12

2-6-1- معرفی و تاریخچه گرافن سه بعدی.. 12

2-6-2- ویژگی ها و کاربرد گرافن سه بعدی.. 14

2-6-3- سنتز گرافن سه بعدی.. 16

2-7- اصلاح و بهبود ویژگی های گرافن سه بعدی.. 21

2-7-1- آلاییده کردن گرافن سه بعدی با نیتروژن.. 21

2-7-2- کامپوزیت گرافن سه بعدی با مواد مختلف… 25

2-8- کامپوزیت گرافن با نیترید تیتانیم. 34

فصل سوم فعالیت های تجربی.. 42

3-1- مواد اولیه مصرف شده 43

3-2- دستگاه های فرآیندی و مشخصه یابی.. 44

3-2-1- دستگاه های فرآیندی.. 44

3-2-2- دستگاه های مشخصه یابی.. 45

3-2-3- آزمون های مربوط به استفاده از 3DG و TiN/3DG در DSSC.. 55

3-3- روش کار 56

3-3-1- سنتز فوم گرافن سه بعدی.. 56

3-3-2- اعمال پوشش TiN.. 58

فصل چهارم- یافته ها و سگالش…. 59

4-1- سنتز، مشخصه یابی و ویژگی های گرافن سه بعدی.. 60

4-1-1- آنالیز فازی و ساختاری.. 60

4-1-2- بررسی ریخت سطحی.. 63

4-1-3- بررسی ساختار با طیف سنجی رامان.. 64

4-1-4- بررسی گروه های مولکولی.. 66

4-1-5- بررسی ترکیب شیمیایی.. 67

4-1-6- تعیین مقاومت الکتریکی.. 70

4-1-7- بررسی تابع کار و ساختار نواری.. 71

4-1-8- بررسی میزان ترشوندگی.. 72

4-2- سنتز، مشخصه یابی و ویژگی های TiN/3DG.. 73

4-2-1- اثر دمای عملیات حرارتی.. 73

4-2-2- اثر فلوی آمونیا 93

4-2-3- اثر غلظت محلول تیتانیمی.. 101

4-2-4- اثر زمان نگهداری نمونه در محلول اولیه. 108

4-2-5- اثر اتانول شویی.. 111

4-2-6- اثر انواع گازها حین گرمایش در کوره 113

4-3- مقایسه ویژگی های گرافن سه بعدی قبل و بعد از اعمال پوشش بهینه TiN.. 118

4-3-1- مقایسه ویژگی های ساختاری به دست آمده از آنالیز XRD.. 118

4-3-2- مقایسه ترکیب شیمیایی.. 120

4-3-3- مقایسه ویژگی های ساختاری به دست آمده از طیف سنجی رامان.. 122

4-3-4- مقایسه مقاومت الکتریکی ویژه 124

4-3-5-مقایسه تابع کار 124

4-3-6- مقایسه ترشوندگی.. 124

4-4- ارزیابی پوشش بهینه TiN/3DG برای کاربرد در سلول خورشیدی DSSC.. 125

4-4-1- بررسی جذب رنگ N719. 125

4-4-2- میزان رنگ جذب شده 132

4-4-3- بررسی تزریق الکترون.. 134

فصل پنجم-نتیجهگیری نهایی و پیشنهادها 136

5-1- نتیجهگیری نهایی.. 137

5-2- نوآوری.. 139

5-3- پیشنهادها 139

مراجع: 140

فهرست شکلها

عنوان شماره صفحه

شکل 2- 1 : شماتیک سلول خورشیدی حساس شده با رنگ 8

شکل 2- 2: روند انتقال بار در DSSC.. 9

شکل 2- 3 : ساختار BCDSC با الکترود TiN.. 11

شکل 2- 4 : شبکه‌ی لانه زنبوری گرافن.. 11

شکل 2- 5: شماتیک پیوندهای داخل صفحه و اوربیتال‏های عمود بر صفحه در ورقه‌های گرافن.. 12

شکل 2- 6 : ویژگیها و کاربردهای گرافن.. 12

شکل 2- 7 : فوم گرافنی در مقیاس بزرگ… 13

شکل 2- 8: دیاگرام فازی دوتایی Ni-C.. 17

شکل 2- 9 : فرآیند تشکیل فوم گرافن.. 19

شکل 2- 10 : تصویر SEM از فوم گرافن تهیه شده از روش CVD همراه با الگو. 20

شکل 2- 11 : تصویر شماتیک انواع پیوندهای کربن-نیتروژن روی صفحه گرافن.. 22

شکل 2- 12 : طیفهای رامان مربوط به نمونههای 3DG و Ag/3DG.. 26

شکل 2- 13 : سازوکار پیشنهادی برای تشکیل شبکه سه بعدی نانوذرات/گرافن سه بعدی.. 28

شکل 2- 14 : سازوکار تشکیل هیبرید TiO₂/3DG.. 29

شکل 2- 15 : تصاویر SEM (الف) فوم گرافن ، (ب) فوم گرافن دارای CuO و (ج) الگوی XRD نمونههای 3DG و CuO/3DG 30

شکل 2- 16 : تصویر شماتیک فرآیند به کار گرفته شده برای سنتز کامپوزیت NiO/3D-RGO.. 31

شکل 2- 17 : تصاویر SEM و TEM کامپوزیت سه بعدی NiO/RGO.. 31

شکل 2- 18 : تصویر شماتیک فرآیند ساخت کامپوزیت PSC-3GO.. 32

شکل 2- 19: (الف) تصویر شماتیک شبکه سه بعدی CdS/TiO₂/Graphene ، (ب) سازوکار تولید هیدروژن.. 33

شکل 2- 20 : الگوی XRD و تصویر TEM نانوکامپوزیت TiN-G.. 34

شکل 2- 21 : تصویر شماتیک از خازن الکتروشیمیایی و استفاده از نانوکامپوزیت G-TiN به عنوان الکترود. 35

شکل 2- 22 : تصویر شماتیک فرآیند سنتز هیبرید TiN/NG.. 35

شکل 2- 23 : طیفهای XPS و مقادیر عناصر موجود در نمونههای TiN، NG، و TiN/NG.. 36

شکل 2- 24 : طیف N1s نمونه TiN/NG.. 37

شکل 2- 25 : تصویر شماتیک فرآیند سنتز هیبرید TiN/NG.. 37

شکل 2- 26 : تصاویر (الف) SEM ، (ب) TEM و (ج) الگوی XRD نمونه TiN/NG.. 38

شکل 2- 27 : پیک N1s در نمونه TiN/NG.. 38

شکل 2- 28 : تصویر شماتیک یک DSSC با استفاده از TiN/NG به عنوان کاتد. 39

شکل 2- 29 : تصویر شماتیک از اتصال بین (الف) TiN و CNT (ب) TiN و گرافن.. 40

شکل 2- 30 : تصویر شماتیک فرآیند به کار گرفته شده برای سنتز TMN/N-RGO.. 41

شکل 2- 31 : طیفهای FTIR نمونههای GO، TiO₂/GO، و TiN-TiO_xN_y/TiO₂/N-RGO.. 41

شکل 3- 1 : منحنی ثابت شبکه (a) بر حسب cos²(θ). 47

شکل 3- 2 : تصویر شماتیک فرآیند مورد استفاده برای سنتز فوم گرافن. 57

شکل 3- 3 : تصویر شماتیک فرآیند مورد استفاده برای اعمال پوشش TiN بر روی فوم گرافن.. 58

شکل 4- 1 : الگوی پراش پرتو ایکس گرافن سه بعدی سنتز شده 60

شکل 4- 2 : پیک (002) گرافن در نمونه 3DG. 61

شکل 4- 3: تصویر TEM از لبه 3DG. 62

شکل 4- 4 : تصاویر SEM سطح گرافن سه بعدی سنتز شده با روش CVD.. 63

شکل 4- 5 : طیف رامان گرافن سه بعدی سنتز شده. 64

شکل 4- 6: باند G گرافن سه بعدی سنتز شده در این پژوهش، گرافن تک لایه و گرافیت. 65

شکل 4- 7 : اثر تعداد لایهها بر روی موقعیت و شکل باند 2D، (الف) گرافیت، (ب) 3DG و (ج) گرافن. 66

شکل 4- 8 طیف FTIR فوم گرافن سه بعدی سنتز شده. 67

شکل 4- 9: طیف XPS فوم گرافن سنتز شده. 68

شکل 4- 10 : طیف C1s مربوط به گرافن سه بعدی.. 68

شکل 4- 11: طیف O1s فوم گرافن سه بعدی.. 69

شکل 4- 12 : طیف UPS فوم گرافن سنتز شده 72

شکل 4- 13 : الگوهای پراش اشعه ایکس نمونههای TiN-3DG تهیه شده در دماهای مختلف. 74

شکل 4- 14 : رابطه اندازه بلورک TiN با دمای عملیات حرارتی. 75

شکل 4- 15 : تصاویر SEM سطح نمونههای TiN-3DG تهیه شده در دماهای °C 750 (الف)، °C 800 (ب)، °C 850 (ج) و °C 900 (د) 76

شکل 4- 16 : تصویر SEM نمونه 3DG دارای پوشش قبل از عملیات حرارتی.. 77

شکل 4- 17 : طیف FTIR پوشش تشکیل شده روی فوم 3DG بعد از خشک شدن.. 78

شکل 4- 18 : تصاویر SEM متمرکز شده بر روی لایه ناپیوسته TiN در دماهای مختلف، (الف) 800، (ب) 850 ، (ج) 900 و (د) 1000 درجه سانتیگراد. 80

شکل 4- 19 : طیفهای XPS پوششهای TiN تهیه شده در دماهای مختلف… 81

شکل 4- 20 : طیفهای XPS با قدرت تفکیک بالا بر روی پیک Ti2p در دماهای مختلف عملیات حرارتی. 84

شکل 4- 21 : طیفهای XPS با قدرت تفکیک بالا بر روی پیک N1s در دماهای مختلف عملیات حرارتی. 84

شکل 4- 22 : طیف رامان نمونه TiN-3DG عملیات حرارتی شده در دمای °C 850. 86

شکل 4- 23 : طیفهای رامان نمونههای TiN-3DG عملیات حرارتی شده در دماهای مختلف… 87

شکل 4- 24 : مقاومت الکتریکی ویژه و هدایت الکتریکی نمونههای TiN/3DG عملیات حرارتی شده در دماهای مختلف. 88

شکل 4- 25 : طیفهای UPS نمونههای TiN/3DG تهیه شده در دماهای مختلف در منطقه الکترونهای ثانویه. 89

شکل 4- 26 : طیفهای UPS پوششهای TiN/3DG عملیات حرارتی شده در دماهای مختلف در منطقه eV (15-0). 91

شکل 4- 27 : طیفهای UPS پوششهای TiN/3DG عملیات حرارتی شده در دماهای مختلف در منطقه eV (6-0) 91

شکل 4- 28 : الگوهای پراش پرتو ایکس پوششهای TiN/3DG تهیه شده در جریانهای مختلف گاز آمونیا. 93

شکل 4- 29 : تصاویر SEM سطح پوششهای TiN/3DG تهیه شده در جریانهای مختلف گاز آمونیا، (الف) 50، (ب) 100، و (ج) sccm 150 95

شکل 4- 30 : طیفهای XPS انجام شده بر روی نمونههای TiN/3DG عملیات حرارتی شده در جریانهای مختلف گاز آمونیا. 96

شکل 4- 31 : آنالیز XPS با قدرت تفکیک بالا بر روی پیک Ti2p در جریانهای مختلف گاز آمونیا 97

شکل 4- 32 : آنالیز XPS با قدرت تفکیک بالا بر روی پیک N1s در جریانهای مختلف گاز آمونیا 97

شکل 4- 33 : طیفهای UPS پوششهای TiN/3DG تهیه شده در جریانهای مختلف گاز آمونیا در منطقه الکترونهای ثانویه. 100

شکل 4- 34: الگوهای پراش پرتو ایکس پوششهای TiN/3DG تهیه شده با استفاده از غلظتهای مختلف محلول تیتانیمی.. 101

شکل 4- 35 : تصاویر SEM سطح پوششهای TiN/3DG تهیه شده با غلظتهای مختلف محلول، (الف) 10/0، (ب) 20/0 و (ج) 33/0 مولار. 103

شکل 4- 36 : نمودار مربوط به اندازه ذرات TiN (محاسبه شده با نرمافزار imageJ) در غلظتهای مختلف محلول اولیه، (الف) 10/0، (ب) 20/0 و (ج) 33/0 مولار. 103

شکل 4- 37 : طیفهای XPS انجام شده بر روی نمونههای TiN/3DG تهیه شده با غلظتهای مختلف محلول. 104

شکل 4- 38 : آنالیز XPS با قدرت تفکیک بالا بر روی پیک N1s در غلظتهای مختلف محلول. 105

شکل 4- 39 : طیفهای UPS پوششهای TiN/3DG تهیه شده در غلظتهای مختلف محلول در منطقه الکترونهای ثانویه. 107

شکل 4- 40 : الگوهای پراش پرتو ایکس پوششهای TiN/3DG تهیه شده در زمانهای نگهداری مختلف. 108

شکل 4- 41 : تصاویر SEM با بزرگنمایی kx 2 از سطح پوششهای TiN/3DG تهیه شده در زمانهای مختلف نگهداری در محلول (الف) h2، (ب) h4، و (ج) h6. 110

شکل 4- 42 : تصاویر SEM با بزرگنمایی kx 12 از سطح پوششهای TiN/3DG تهیه شده در زمانهای مختلف نگهداری در محلول (الف) h2، (ب) h4، و (ج) h6. 110

شکل 4- 43 : اندازه ذرات TiNدر زمانهای مختلف نگهداری نمونهها در محلول اولیه، (الف) h2، (ب) h4، و (ج) h6. 111

شکل 4- 44 : تصاویر SEM سطح دو نمونه TiN/3DG شستشو داده نشده (الف) و شستشتو داده شده با اتانول (ب). 112

شکل 4- 45 : تصویر SEM از سطح مقطع پوشش TiN بر روی گرافن. 112

شکل 4- 46 : طیفهای XPS مربوط به دو نمونه گرمایش یافته با استفاده از دو نوع گاز مختلف (الف) NH₃ و (ب) H₂ تا دمای بیشینه °C 850. 114

شکل 4- 47 : طیف مربوط به پیک N1s دو نمونه گرمایش یافته با استفاده از دو نوع گاز مختلف NH₃ و H₂ تا دمای بیشینه °C 850. 116

شکل 4- 48 : طیف مربوط به پیک O1s دو نمونه گرمایش یافته با استفاده از دو نوع گاز مختلف NH₃ و H₂ تا دمای بیشینه °C 850. 117

شکل 4- 49 : پیک (002) گرافن در نمونه .TiN/3DG.. 120

شکل 4- 50 : طیف XPS با قدرت تفکیک بالا برای پیک C1s نمونه TiN/3DG. 121

شکل 4- 51 : طیف XPS با قدرت تفکیک بالا برای پیک O1s هر دو نمونه (الف) 3DG و (ب) TiN/3DG. 122

شکل 4- 52 : پیکهای (الف) G و (ب) 2D مربوط به نمونههای 3DG و TiN/3DG. 123

شکل 4- 53 : زاویه تماس آب بر روی سطح نمونههای 3DG و TiN/3DG. 125

شکل 4- 54 : طیف UV-Vis به دست آمده از (الف) محلول رنگ در اتانول، (ب) نمونههای 3DG و TiN/3DG نگهداری شده در محلول اتانولی رنگ N719 به مدت 24 ساعت. 126

شکل 4- 55 : طیفهای رامان مربوط به (الف) پودر رنگ N719، (ب) رنگ جذب شده روی نمونه TiN/3DG و (ج) رنگ جذب شده روی نمونه 3DG. 127

شکل 4- 56 : ساختار شیمیایی N719. 128

شکل 4- 57 : طیفهای XPS نمونههای 3DG و TiN/3DG بعد از جذب رنگ N719. 129

شکل 4- 58 : طیفهای XPS با قدرت تفکیک بالاتر بر روی پیک C1s نمونهها قبل و بعد از جذب رنگ. 130

شکل 4- 59 : طیفهای XPS با قدرت تفکیک بالاتر بر روی پیک O1s نمونههای 3DG و TiN/3DG بعد از جذب رنگ. 131

شکل 4- 60 : طیفهای XPS با قدرت تفکیک بالاتر بر روی پیک N1s نمونهها قبل و بعد از جذب رنگ. 132

شکل 4- 61 : طیف UV-Vis محلول رنگ واجذب شده از سطح نمونههای 3DG و TiN/3DG. 133

شکل 4- 62 :طیفهای PL مربوط به رنگ خالص و رنگ جذب شده توسط 3DG و TiN/3DG. 134

فهرست جداول

عنوان شماره صفحه

جدول 3- 1: فهرست و مشخصات مواد اولیه مورد استفاده برای سنتز گرافن سه بعدی (بخش اول) 43

جدول 3- 2- فهرست و مشخصات مواد اولیه مورد استفاده برای اعمال پوشش نیترید تیتانیم (بخش دوم) 44

جدول 3- 3: فهرست و مشخصات مواد اولیه مورد استفاده برای ارزیابی نمونه بهینه شده جهت کاربرد در DSSC (بخش سوم) 44

جدول 4- 1 : نتایج استخراج شده از الگوی XRD گرافن سه بعدی برای پیک (002). 62

جدول 4- 2 : اطلاعات استخراج شده از طیف C1s فوم گرافن سنتز شده. 69

جدول 4- 3: اطلاعات استخراج شده از طیف O1s. 70

جدول 4- 4 : مقادیر اندازه بلورک و ثابت شبکه فاز TiN در دماهای مختلف عملیات حرارتی. 75

جدول 4- 5 : درصد عناصر مختلف موجود در سطح نمونهها، استخراج شده از طیفهای XPS در دماهای مختلف. 82

جدول 4- 6 : درصد فازهای موجود در سطح نمونههای عملیات حرارتی شده در دماهای مختلف استخراج شده از طیف N1s. 85

جدول 4- 7: زاویه تماس به دست آمده برای نمونههای TiN-3DG عملیات حرارتی شده در دماهای مختلف. 92

جدول 4- 8 : نتایج استخراج شده از الگوی XRD در جریانهای مختلف گاز NH₃ برای فاز TiN. 94

جدول 4- 9: درصد عناصر موجود در سطح نمونهها، استخراج شده از طیفهای XPS در جریانهای مختلف گاز آمونیا. 96

جدول 4- 10 : درصد پیوندهای مختلف، استخراج شده از پیک N1s در جریانهای مختلف گاز NH₃. 97

جدول 4- 11 : مقاومت الکتریکی ویژه نمونههای TiN/3DG عملیات حرارتی شده در جریانهای مختلف گاز آمونیا. 99

جدول 4- 12 : زاویه تماس آب پوششهای TiN/3DG عملیات حرارتی شده در جریانهای مختلف گاز آمونیا. 100

جدول 4- 13: اندازه بلورک و ثابت شبکه TiN، استخراج شده از الگوهای XRD نمونههای تهیه شده در غلظتهای مختلف. 102

جدول 4- 14 : در عناصر موجود در سطح نمونهها، استخراج شده از طیفهای XPS در غلظتهای مختلف محلول. 104

جدول 4- 15 : درصد پیوندهای مختلف، استخراج شده از شکل 4- 37. 105

جدول 4- 16 : مقاومت الکتریکی ویژه نمونههای TiN/3DG تهیه شده با غلظتهای مختلف. 106

جدول 4- 17 : زاویه تماس پوششهای TiN/3DG تهیه شده در غلظتهای مختلف محلول. 107

جدول 4- 18 : نتایج استخراج شده از الگوی XRD نمونههای مختلف برای فاز TiN.. 109

جدول 4- 19 : درصد عناصر مختلف موجود در نمونهها در دو حالت مختلف گرمایش، استخراج شده از شکل 4-46. 114

جدول 4- 20 : درصد پیوندهای مختلف، استخراج شده از شکل 4-47. 116

جدول 4- 21 : درصد پیوندهای مختلف، استخراج شده از شکل 4-48. 117

جدول 4- 22 : نتایج استخراج شده از پیک پراش صفحه (002) گرافن بعد از اعمال TiN.. 120

نقد و بررسی‌ها

هنوز بررسی‌ای ثبت نشده است.

اولین کسی باشید که دیدگاهی می نویسد “دانلود پروژه: ساخت و بررسی خواص الکتریکی پوشش گرافن سه بعدی-TiN جهت استفاده در سلول خورشیدی نانوساختار DSSC”

امتیاز 0 از 5 از 0 دیدگاه

قیمت اصلی 35,000 تومان بود.قیمت فعلی 23,000 تومان است.

تاریخ ایجاد بهمن 4, 1399
تاریخ بروزرسانی اسفند 13, 1401
فروش 0
دیدگاه 0

شرایط استفاده از محصول

تمام محصولات به ازای پرداخت پروژه تنها قابل استفاده می باشند. این بدین معنی است که برای استفاده از یک یا چند محصول ، لازم به خرید آن محصول است.

مزایای خرید این محصول:

دسترسی به فایل به صورت همیشگی
پشتیبانی رایگان
پشتیبانی 24 ساعته محصول
بازگشت وجه در صورت عدم رضایت مشتری

مشاهده قوانین سایت