فهرست مطالب |
فهرست مطالب… ه
فهرست شکل‌ها ح
چکیده 1
فصل اول. 2
مقدمه. 2
فصل دوم. 7
ترانزیستورهای اثرمیدانی بدون پیوند. 7
2-1- MOSFET های متداول. 8
2-1-1- اثرات کانال کوتاه (SCE) و DIBL در ترانزیستورهای کوچک… 10
2-1-2- نوسان زیرآستانه. 12
2-1-3- چالش‌های ساختاری در MOSFETهای با کانال بسیار کوتاه 13
2-2- ترانزیستور نانوسیم بدون پیوند (JNT) 14
2-2-1- عوامل موثر بر Ioff 17
2-2-2- مکانیسم هدایت در ترانزیستورهای بدون پیوند. 20
2-2-3- موبیلیتی.. 23
2-2-4- اثرات DIBL. 25
2-2-5- اثرات کانال کوتاه(SCE) 26
2-2-6- نوسان زیر آستانه (SS) 27
2-3- نتیجه‌گیری.. 27
فصل سوم. 28
ترانزیستورهای بدون پیوند مبتنی بر نانولوله کربنی.. 28
3-1- کربن.. 29
3-1-1- گرافیت… 29
3-1-2- گرافین.. 30
3-1-2-1- صفحه مختصات گرافینی.. 31
3-1-3- فولرین.. 32
3-1-4- نانولوله‌های کربنی.. 33
3-2- ترانزیستورهای اثر میدانی مبتنی بر نانولوله کربنی.. 38
3-3- ترانزیستور بدون پیوند مبتنی بر نانولوله کربنی.. 41
3-3- 1- مکانیسم هدایت در ترانزیستورهای بدون پیوند مبتنی بر نانولوله کربنی.. 42
3-3-2- نوسان زیرآستانه (SS) 45
3-4- نتیجه‌گیری.. 46
فصل چهارم. 47
شبیهسازی اثر کرنش بر ترانزیستورهای بدون پیوند مبتنی بر نانولوله کربنی.. 47
4-1- روش شبيه سازي با استفاده از NEGF. 48
4-2- اثر کرنش پیچشی بر ترانزیستور مبتنی بر نانولوله کربنی.. 54
4-3- نتیجه‌گیری.. 58
فصل پنجم. 59
5-1- اثر کرنش پیچشی بر جریان خروجی.. 59
2-5- اثر کرنش پیچشی بر نرخ 63
4-2-2- تاخیر ذاتی(τ) 67
4-2-3- توان تلفاتی سوئیچینگ (PDP) 70
4-3- نتیجه‌گیری.. 73
فصل ششم. 75
نتیجه‌گیری و پیشنهادات… 75
6-1- نتیجه‌گیری.. 75
6-2- پیشنهادات… 77
پیوست 1. 79
پیوست 2. 79
فهرست منابع: 81
ABSTRACT. 86
فهرست شکل‌ها |
نقد و بررسی‌ها
هنوز بررسی‌ای ثبت نشده است.