%41تخفیف

دانلود پروژه:دانلود محصول: بهینه‎سازی عملکرد سلول خورشیدی لایه نازک CIGS با استفاده از نرم افزارهای SCAPS و SILVACO

تعداد 138صفحه در فایل word

 

چکیده

سلول‎های خورشیدی نانوساختار Cu(In1-xGax)Se2 (CIGS) که در مقیاس آزمایشگاهی راندمان نزدیک به 4/20 % برای آنها گزارش شده، امروزه مورد توجه بیشتر محققان قرار گرفته است. به علت وجود مواد با خواص فیزیکی متفاوت، درجات آزادی بهینه‎سازی عملکرد این سلول‎های چند‎لایه افزایش یافته است. تاکنون پیشرفت‎های زیادی در زمینه بهینه‎سازی عملکرد سلول‎های خورشیدی به طور تجربی به جای ارائه درک عمیق از مدل‎های فیزیکی و شبیه‎سازی مناسب صورت گرفته است. لذا اصلی‎ترین هدف از انجام این پایان‎نامه، شبیه‎سازی ساختار سلول لایه نازک CIGS مبتنی بر اطلاعات تجربی ارائه شده در مقالات معتبر برای لایه‎های مختلف می‎باشد. در این پایان‎نامه، بعد از شبیه‎سازی ساختار اولیه سلول با استفاده از Silvaco-AtlasTM، بهینه‎سازی ضخامت لایه‎های سلول، بهینه‎سازی گاف انرژی لایه جاذب، که در نهایت سلول CdS/CIGS با راندمان 5/20 % توسط اطلس به دست آمد. در ادامه اثر لایه‎های بافر مختلف به عنوان جایگزین CdS بررسی و لایه اکسید روی با بازدهی 6/22 % به عنوان لایه بافر مناسب انتخاب شد. همچنین بررسی مشخصات سطح سلول و الگودهی به لایه اکسید رسانای شفاف (TCO) جهت بهبود جذب نور و افزایش راندمان سلول انجام شد. به منظور تسهیل در فرایندهای شبیه‎سازی سلول و به کارگیری مدل‎های بازترکیب پیچیده در فصل مشترک و درون لایه‎ها، برخی از تجزیه و تحلیل‎های مربوط به سلول CIGS توسط نرم افزار SCAPS انجام شده است. ضمن شبیه‎سازی ساختار اولیه با داده‎های تجربی، آنالیز فصل مشترک CdS/CIGS و فرایندهای بازترکیب آن، اثر سهم گالیم و گاف انرژی، معرفی لایه‎های بافر با گاف انرژی پهن Cd1-yZnyS و بهینه مقدار روی حدود 2/0 y=در این بافر، بهینه‎سازی ضخامت لایه‎های مختلف سلول، اثر مقاومت‎های اتلافی و اثر دما بر عملکرد سلول از جمله مواردی است که توسط شبیه‎ساز SCAPS در این پروژه انجام شد و مقدار بازدهی سلول توسط این شبیه ساز 5/21 درصد به دست آمد.

کلمات کلیدی: سلول خورشیدی، لایه نازک، CIGS، شبیه‎سازی،,SILVACO  .SCAPS

فهرست مطالب

عنوان                                                                                                         شماره صفحه

1فصل اول مقدمه‎ای بر سلول‎های خورشیدی لایه نازک.. .. 1

1-1-مقدمه    2

1-1-1-موقعیت کشور ایران از نظر میزان دریافت انرژی خورشیدی.. 4

1-1-2- تاریخچه و دسته‎بندی سلول‎های خورشیدی.. 5

1-1-3- مروری بر آخرین تحقیقات انجام شده: 7

1-2- مفاهیم اصلی نیمرسانا 8

1-2-1- انواع نیمرسانا 9

1-2-2- تراز‎های شبه‎فرمی.. 13

1-3- پیوندp-n   14

1-3-1- اتصال فلز-نیمرسانا 18

1-4- اساس کار سلول‎های خورشیدی لایه نازک… 21

1-4-1- پارامترهای سلول خورشیدی.. 23

1-5- بررسی ساختار و مشخصات مواد سلول لایه نازک CIGS. 29

2 فصل دوم: مبانی شبیه‎سازی سلول‎های خورشیدی لایه نازک.. 43

2-1- مقدمه 44

2-2- معادلات حاکم      44

2-3- مدل‎سازی.. 48

2-3-1- تنظیم گاف انرژی.. 51

2-4- بسته‎های شبیه‎سازی سلول‎های خورشیدی لایه نازک… 53

3 فصل سوم:  نتایج شبیه‎سازی سلول خورشیدی CIGS با استفاده ازSIlvaco 57

3-1-مقدمه    58

3-2- شبیه‎سازی نرم‎افزار  SILVACO.. 58

3-2-1- تعریف ساختار قطعه. 60

3-2-2- تعیین خصوصیات مواد. 63

3-2-3- تعیین سطوح فصل مشترک.. 63

3-2-4- روش‎های حل عددی.. 63

3-2-5- شبیه‎سازی منبع نور با استفاده از تعریف پرتو نوری.. 64

3-2-6- مشخصات حل معادلات شبیه‎ساز 64

3-2-7- خروجی‎های اطلس… 65

3-3- شبیه‎سازی ساختار اولیه توسط شبیه‎ساز اطلس…. 66

3-3-1- تنظیم گاف انرژی لایه جاذب در محیط اطلس… 67

3-3-2- بهینه‎سازی سهم گالیم و مقایسه با کار تجربی.. 69

3-4- بهینه‎سازی.. 73

3-4-1- بهینه‎سازی ضخامت لایه جاذب CIGS. 74

3-4-2- بهینه‎سازی ضخامت لایه بافر CdS. 76

3-4-3- بهینه‎سازی لایه پنجره عبوری ZnO. 78

3-4-4- بهینه‎سازی ضخامت ZnO:Al 80

3-5- بهینه‎سازی ضخامت لایه‎ها به صورت ترکیبی.. 81

3-6- اثر لایه‎های بافر مختلف بر عملکرد سلول.. 84

3-7- مهندسی سطح سلول و مقایسه با کار تجربی 86

3-7-1- مهندسی سطح سلول و الگودهی به آن. 89

4فصل چهارم:  شبیه‎سازی سلول خورشیدی CIGS با استفاده از SCAPS 91

4-1- مقدمه    92

4-2- ساختار مورد شبیه‎سازی و مقایسه با نتایج تجربی ]79[ 93

4-2-1- آنالیز فصل مشترک CdS/CIGS در ساختارشبیه‎سازی شده 95

4-2-2- موقعیت لبه نوار رسانش درفصل‎مشترک CdS/CIGS. 97

4-3-  اثر سهم گالیم و گاف انرژی گرادیانی بر عملکرد سلول.. 99

4-4-  معرفی لایه‎های بافر Cd1-yZnyS. 103

4-4-1- بهینه‎سازی مقدار روی در لایه بافر CdZnS. 104

4-5- اثر مقاومت‎های اتلافی بر عملکرد سلول لایه نازک CIGS. 106

4-5-1- شبیه‎سازی اثر مقاومت سری.. 106

4-5-2- شبیه‎سازی اثر مقاومت موازی.. 109

4-6- اثر دما بر عملکرد سلول مورد شبیه‎سازی.. 111

4-7- بهینه‎سازی ضخامت لایه جاذب CIGS سلول مورد شبیه‎سازی.. 113

4-8- بهینه‎سازی ضخامت لایه بافر کادمیوم سولفید در سلول مورد شبیه‎سازی.. 115

4-9- بهینه‎سازی ضخامت ZnO:Al (TCO) در سلول مورد شبیه‎سازی: 116

4-10- بهینه‎سازی ترکیبی ضخامت لایه‎های سلول CIGS. 117

4-11- شبیه‎سازی مقاله ]89[ و بهینه‎سازی ضخامت لایه Zn(O,S) 119

4-11-1- بهینه‎سازی ضخامت Zn(O,S) 120

5 نتیجه‎گیری.. …… 123

6 پیشنهادات…….. 125

7 مرجع‎ها.. 126

8 پیوست……… 132

فهرست شکل­ها

عنوان                                                                           شماره صفحه

شکل‏1‑1: مقایسه‌ای از میزان دریافت تابش خورشیدی در ایران با سایر کشورها. 5

شکل‏1‑2: روند پژوهش در زمینه سلول‌های خورشیدی در 30 سال گذشته. 8

شکل ‏1‑3: جدول بازده سلولهای خورشیدی. 8

شکل‏1‑4: ساختار انرژی برای فلزات و نیمرساناها و عایق‎ها ]14[. 9

شکل‏1‑5: ساختار کریستالی سیلیکون نوع p با ناخالصی از اتم گروه سوم. 12

شکل‏1‑6: ساختار کریستالی سیلیکون نوع n با ناخالصی از گروه چهارم ]16[. 12

شکل ‏1‑7: نمایش نوار انرژی (a) نیمرسانای ذاتی، (b) نیمرسانای غیر ذاتی با اتم‎های دهنده، (c) نیمرسانای غیر ذاتی با اتم‎های پذیرنده. 12

شکل‏1‑8: توزیع حامل‌های بار در طول یک پیوند‎گاه p-n. 15

شکل‏1‑9: تشکیل یک پیوند p-n در تقریب شاتکی. (a) توزیع ناحیه تخلیه با توجه به ناخالصی یونیزه ثابت. (b) میدان الکتریکی به دست آمده از ادغام معادله پواسون. (c) نتایج دوم مرحله ادغام در پتانسیل الکترواستاتیک. (d) انتقال باند حداقل EC، ظرفیت باند حداکثر EV، و سطح فرمی در تعادل است. خلاصه، تولید یک جفت الکترون-حفره در (Gen1) و خارج (Gen2)  ناحیه تهی نشان داده شده است. 17

شکل ‏1‑10: نوار رسانش و نوار ظرفیت در یک سلول خورشیدی ناهمگن. 18

شکل ‏1‑11: ترازهای انرژی مهم مختلف در فلز و نیمرسانا نسبت به تراز خلاء ]17[. 19

شکل ‏1‑12: پتانسیل پیوند ناشی از اتصال فلز و نیمرسانا ]17[. 19

شکل ‏1‑13: تفکیک یون در پیوند p-n سلول خورشیدی ]21[. 23

شکل ‏1‑14: مشخصه I-V برای تعیین نقطه توان بیشینه. 24

شکل ‏1‑15: نمونه‎ای از منحنی بازده کوانتومی با مکانیزم‎های اتلافی. 28

شکل ‏1‑16: ساختار سلول خورشیدی  .CIGS. 29

شکل‏1‑17: طیف توزیع خورشید ]28[. 30

شکل‏1‑18: نمونه‎ای از زیرلایه‎های سلول خورشیدی. 32

شکل‏1‑19: مشخصات مولیبدن به عنوان ماده سازنده الکترود پشتی. 33

‏شکل1‑20: دستگاه لایه نشانی کندوپاش… 35

‏شکل1‑21: : ساختار مولکولی  .CIGS. 37

‏شکل1‑22: طرح‎واره‌ای از یک دستگاه لایه ‌نشانی تبخیر حرارتی. 38

شکل ‏1‑23: مشخصات .CdS. 39

‏شکل 1‑24: فرآیند رشد به روش حمام شیمیاییCBD. 40

شکل ‏1‑25: مشخصات ZnO. 42

شکل‏2‑1: چهار دوره مجاز در مدل شاکلی-رید-هال. فرایندهای بازترکیب بستگی به غلظت حامل های آزاد و چگالی سطوح نقص در دسترس دارند.فرایند های گسیل به اشغال نقص ها بستگی دارند و نه به چگالی حامل ها. 47

شکل‏‏2‑2: منحنی بازده‎های کوانتومی مختلف برای مقادیر گالیم متفاوت با گاف انرژی متناظر با آنها: (a) 02/1 الکترون ولت، (b) 16/1 الکترون ولت و (c)  4/1 الکترون ولت، از مرجع ]65[. 52

شکل‏‏2‑3: منحنی جریان-ولتاژ  مختلف برای مقادیر گالیم متفاوت با گاف انرژی متناظر با آنها: (a) 02/1 الکترون ولت، (b) 16/1 الکترون ولت و (c)  4/1 الکترون ولت ]65[. 53

شکل ‏2‑4: شکل‎ها در محیط SCAPS. 56

شکل ‏3‑1: ورودی و خروجی‎های اطلس ]69[. 59

شکل ‏3‑2: دسته بندی جملات مورد استفاده در محیط Deck build. 60

شکل ‏3‑3: یک مش‎بندی نوعی شامل خطوط عمودی و افقی. 61

شکل‏3‑4: سلول اولیه شبیه‎سازی شده. 67

شکل‏3‑5: منحنی J-V  سلول CIGS برای مقادیر گالیم متفاوت. 68

شکل‏3‑6: بازده کوانتومی برحسب طول موج طول موج برای پنج سلول با گاف انرژی متفاوت تحت AM1.5. 69

شکل‏3‑7: بازده کوانتومی خارجی برای سلول های ساخته شده با مقدارهای مختلف گالیم: (a) 18/0، (b) 34/0و (c) 78/0. 70

شکل‏2‑8: نتایج تجربی ]71[ و شبیه‎سازی اثر نسبت گالیم در لایه جاذب CIGS بر (a) ضریب پرشدگی،(b) بازدهی، (c) JSC و (d) VOC سلول خورشیدی لایه نازک. 73

شکل‏3‑9: تغییر ضخامت لایه جاذب CIGS و اثر آن بر بازده و ضریب پرشدگی (a)، ولتاژ مدار باز و جریان اتصال کوتاه (b) 75

 شکل‏3‑10: پاسخ طیفی سلول خورشیدی برای ضخامت‎های مختلف لایه جاذب CIGS. 76

شکل‏3‑11: تغییرات بازده سلول و ضریب پرشدگی (a)، تغییرات جریان اتصال کوتاه و ولتاژمدارباز (b) بر حسب تغییرات ضخامت CdS. 77

شکل‏3‑12: پاسخ طیفی سلول خورشیدی CIGS برای ضخامت های مختلف لایه بافر CdS. 78

شکل ‏3‑13: تغییر ضخامت لایه ZnO بر حسب بازده سلول. 79

شکل‏3‑14: تغییرات اکسید رسانای شفاف بر حسب بازده و ضریب پرشدگی (a) و برحسب جریان اتصال کوتاه (b) 81

شکل‏3‑15: بهینه‎سازی شماره اجرا در مقابل بازده سلول. 82

شکل‏3‑16: منحنی‎های J-V برای دو ساختار بهینه شده و اولیه. 83

شکل ‏3‑17: تغییرات ولتاژ مدارباز (a)، تغییرات جریان اتصال کوتاه (b)، تغییرات ضریب پرشدگی (c) و تغییرات بازده سلول CIGS با لایه‎های بافر مختلف. 86

شکل‏3‑18: ساختار شبیه‎سازی شده سلول CIGS. 88

شکل‏3‑19: منحنی I-V گرفته شده از ساختار. 88

شکل‏3‑20: ساختار سلول شبیه‎سازی با لایه ITO نرده‎ای.. 89

شکل‏3‑21: منحنیI-V  برای دوحالت سطح صاف و نرده‎ای.. 90

شکل‏4‑1: نمایی از ساختار مورد شبیه‎سازی سلول خورشیدی لایه نازک .CIGS. 93

شکل‏4‑2: منحنی‎های J-V در چهار حالت با حضور لایه SDL و بدون آن برای دوحالت بازترکیب در حجم و فصل‎مشترک   96

شکل‏4‑3: تغییرات ولتاژ مدار باز (a) و تغییرات ضریب پرشدگی (b) برحسب ناخالصی CdS. 97

شکل‏4‑4: نمایی از نمودار انرژی ساختار CdS/CIGS زمانی که نوار رسانش لایه بافر بالاتر از CIGS (+) و پایین تر از CIGS (-) باشد. 98

شکل ‏4‑5: تغییرات ولتاژ مدار باز (a) تغییرات بهره‎وری سلول (b) در اثر تغییر موقعیت نوار رسانش برای چگالی نقص مختلف. 99

شکل‏4‑6: ضریب جذب لایه جاذب CIGS در مقادیر مختلف گالیم (GGI). 100

شکل‏4‑7: تغییرات گاف انرژی و میل ترکیبی الکترون با افزایش سهم گالیم در ترکیب CIGS…………………………………………………………………………………………………………………………………….. ……………………..101

شکل‏4‑8: تغییرات ولتاژ مدار باز سلول و جریان اتصال کوتاه (a)، تغییرات ضریب پرشدگی و بازدهی سلول (b) بر حسب نسبت گالیم (GGI). 102

شکل‏4‑9: منحنی‎های J-V  برای مقادیر گالیم مختلف در ترکیب CIGS. 103

شکل‏4‑10: اثر تغییر مقدار روی در لایه بافر CdZnS برجریان اتصال کوتاه و ولتاژمدارباز (a)، ضریب پرشدگی و بازدهی (b) سلول CdZnS/CIGS  105

شکل‏4‑11: منحنی‎های J-V برای سهم روی مختلف در لایه بافر CdZnS. 105

شکل‏4‑12: طرحی از مدار سلول خورشیدی در حضور مقاومت سری و موازی.. 106

شکل‏4‑13: تغییرات بازده و ضریب پرشدگی (a)، JSC  و VOC (b) سلول CIGS با افزایش مقاومت سری.. 108

شکل‏4‑14: منحنی‎های J-V در حضور مقاومت سری‎های مختلف سلول. 109

شکل‏4‑15: تغییرات بازده و ضریب پرشدگی (a)، JSC  و VOC (b) سلول CIGS با افزایش مقاومت موازی. 110

شکل‏4‑16: تغییرات بازده و ضریب پرشدگی (a)، JSC  و VOC (b) سلول CIGS با اثر افزایش دما. 112

شکل ‏4‑17: منحنی‎های J-V برای دماهای مختلف.. 113

شکل ‏4‑18: تغییر ضخامت لایه جاذب CIGS و اثر آن بر بازده، ضریب پرشدگی (a)، ولتاژ مدار باز و جریان اتصال کوتاه (b). 114

شکل‏4‑19: (a) تغییر بازده و جریان اتصال کوتاه (b) تغییر ضریب پرشدگی و ولتاژ مدار باز به صورت تابعی از ضخامت CdS  116

شکل‏4‑20: تغییرات اکسید رسانای شفاف ZnO:Al بر حسب بازده. 117

شکل ‏4‑21: بهینه‎سازی شماره اجرا در مقابل بازده سلول. 118

شکل‏4‑22: منحنی J-V  برای سلول اولیه و بهینه شده. 119

شکل‏4‑23: شماتیکی از ساختار مورد شبیه‎سازی. 120

شکل‏4‑24: (a) تغییر بازده و ضریب پرشدگی(b) تغییر جریان‎اتصال‎کوتاه و ولتاژمدارباز به صورت تابعی از ضخامت Zn (O,S) 121

فهرست جدول‎ها

عنوان                                                                          شماره صفحه

جدول‏3‑1: مشخصات فیزیکی سلول CIGS. 66

جدول‏3‑2: مشخصات سلول CIGS برای مقادیر مختلف گالیم. 68

جدول‏3‑3: بهینه‎سازی ترکیبی با ضخامت و بهره وری مربوط به هر اجرا. 82

‏3‑4: مشخصات منحنی I-V برای دو ساختار اولیه و بهینه شده. 83

جدول‏3‑5: مقایسه نتایج سلول ساخته شده ]77[ با کار انجام شده شبیه‎سازی. 88

جدول ‏3‑6: مقایسه نتایج شبیه‎سازی بدون الگو و با الگو ITO. 90

جدول‏4‑1: مشخصات لایه‎های سلول.  سطح مقطع تسخیر الکترون توسط تله می باشد. 93

جدول‏4‑2: نتایج بدست آمده از شبیهسازی  در مقایسه با اندازهگیری تجربی ]79[. 94

جدول‏4‑3: اثر مقادیر مختلف روی در لایههای بافر Zn بر عملکرد سلول خورشیدی لایه نازک CIGS. 104

جدول‏4‑4: بهینهسازی ترکیبی با ضخامت و بهره وری مربوط به هر اجرا توسط SCAPS. 118

‏4‑5: مشخصات منحنی I-V برای دو ساختار اولیه و بهینه شده. 119

قبلا حساب کاربری ایجاد کرده اید؟
گذرواژه خود را فراموش کرده اید؟
Loading...
enemad-logo