%40تخفیف
اندازه گیری ضریب اتلاف گرما در پدیده کلیدزنی و تعیین مکانیسم کلیدزنی در شیشه های 2TeO-5O2V-Sb
تعداد 158 صفحه فایل word
چکیده:
در کار حاضر، شیشه های V2O5 -TeO2-Sb به روش سرمایش سریع تهیه شدند و اثر میدان الکتریکی قوی بر رسانش الکتریکی توده آمورف این نمونه ها با درصدهای مولی مختلف مولفه های تشکیل دهنده آنها مورد بررسی قرار گرفت. نتایج نشان دهنده آن است که در میدانهای ضعیف، رسانش اهمی بوده در حالیکه در میدانهای الکتریکی قوی، نمونه ها رفتار غیر اهمی را در رسانش الکتریکی از خود نشان دادند. همچنین منحنی های مشخصه ولتاژ- جریان، افزایش انحراف از قانون اهم را همراه با افزایش چگالی جریان الکتریکی نشان می دهد. این رفتار غیر اهمی در میدانهای الکتریکی حدود (V/cm) 104 اتفاق می افتد. همچنین، با توجه به اثر گرمای ژول در فیلمان جریان الکتریکی، مدل الکتروگرمایی برای این نمونه ها در نظر گرفته شده و فاکتور اتلاف گرما در نمونه و انرژی فعالسازی الکتریکی بدست آمدهاند.
کلید واژه : میدان های قوی، رسانش اهمی، مدل الکتروگرمایی، فاکتور اتلاف گرما، انرژی فعالسازی الکتریکی
دسته: ریاضی فیزیک, فیزیک
برچسب: انرژی فعالسازی الکتریکی, رسانش اهمی, فاکتور اتلاف گرما, مدل الکتروگرمایی, میدان های قوی